并且改善了微處理器，存儲(chǔ)器模塊DC/DC轉(zhuǎn)換器和功率模塊的可靠性。優(yōu)點(diǎn)：(1) 可返修，可重復(fù)使用，涂覆厚度及形狀可按需控制；導(dǎo)熱硅膠絕緣片

墊片是完全滿足要求的。三、結(jié)構(gòu)的選擇常見導(dǎo)熱墊片的結(jié)構(gòu)類型三種結(jié)構(gòu)類型的導(dǎo)熱墊片各有優(yōu)缺，都有其獨(dú)特之處。一般來(lái)說(shuō)，加入增強(qiáng)材料后會(huì)提升物理強(qiáng)度，但是會(huì)犧牲一些導(dǎo)熱性能。如果規(guī)格比較大，對(duì)于厚的產(chǎn)品影響不大，但對(duì)于薄（＜1mm）的產(chǎn)品則有一定的影響，無(wú)增強(qiáng)材料的墊片都會(huì)發(fā)生伸長(zhǎng)等情況，

(2) 室溫下為固體，但在設(shè)備運(yùn)行期間熔化填補(bǔ)微間隙（不垂流）；(3) 導(dǎo)熱效果相當(dāng)于傳統(tǒng)導(dǎo)熱硅脂，性能更好；(4) 極好的硅脂替代品，

某電源功率為5W，芯片和外殼間隙約為2mm，希望芯片溫度能在70℃以下，外殼溫度低于50℃，芯片大小為1in2。導(dǎo)熱硅膠絕緣片

這種填充材料會(huì)更好的利用。總體來(lái)說(shuō)說(shuō)，導(dǎo)熱硅脂比導(dǎo)熱硅膠墊更好;導(dǎo)熱硅脂是以有機(jī)硅酮為主要原料，添加耐熱、導(dǎo)熱性能優(yōu)異的材料，制成的導(dǎo)熱型有機(jī)硅脂狀復(fù)合物，所以具有不干、不凝固、不熔化、無(wú)毒、無(wú)味、對(duì)基材不腐蝕等特點(diǎn)，能夠保證電子儀器、儀表等的電氣性能的穩(wěn)定。說(shuō)到散熱系統(tǒng)，

面積熱阻I=△T*A/Q=6℃*in2/W說(shuō)明使用的導(dǎo)熱墊片的面積熱阻必須小于6℃*in2/W,在結(jié)合曲線，2mm對(duì)應(yīng)的熱阻約為2.8℃*in2/W,說(shuō)明該

比如在設(shè)計(jì)階段要驗(yàn)證不同厚度導(dǎo)熱硅脂對(duì)模塊散熱的影響；在生產(chǎn)階段，由于絲網(wǎng)及鋼網(wǎng)材料的磨損，需要在每個(gè)生產(chǎn)任務(wù)前對(duì)硅脂厚度進(jìn)行測(cè)量，導(dǎo)熱硅膠絕緣片

這個(gè)厚度的產(chǎn)品既可以保證填滿間隙，有不至于產(chǎn)生過(guò)大的應(yīng)力。下圖為某款導(dǎo)熱墊的壓縮率曲線，從圖中可以大概了解某一壓縮率下瞬間壓縮應(yīng)力的大小，一個(gè)好消息是維持該壓縮率的應(yīng)力則遠(yuǎn)小于瞬間壓縮應(yīng)力。產(chǎn)品的硬度對(duì)壓縮性能影響很大，在物理強(qiáng)度保證的前提下，建議優(yōu)先選擇低硬度的產(chǎn)品。除了應(yīng)力更小的原因，

如發(fā)現(xiàn)硅脂厚度超過(guò)下限，需更換新的絲網(wǎng)或鋼網(wǎng)。導(dǎo)熱硅脂厚度測(cè)量一般使用激光測(cè)厚儀，稱重測(cè)厚法及濕膜測(cè)厚儀。激光測(cè)厚儀可在不破壞硅脂形狀的情況下